FDD2582 - 深圳市柏利欣科技有限公司

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详细信息

相关参数：

IC描述：MOSFET N-CH 150V 21A DPAK

FET类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：150V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：3.7A（Ta），21A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:6V，10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）:66 毫欧 @ 7A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值):25nC @ 10V

Vgs（最大值）:±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:1295pF @ 25V

功率耗散（最大值）:95W（Tc）

工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）

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