相关参数:
IC描述:MOSFET 2N-CH 20V 0.87A 6TSSOP
FET类型:2 个 N 沟道(双)
FET功能:逻辑电平门
漏源电压(Vdss):20V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):870mA
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):340 毫欧 @ 200mA,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):0.89nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):45pF @ 20V
功率-最大值:400mW
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
全新原装正品现货
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