IRFB4115PBF - 深圳市柏利欣科技有限公司

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详细信息

FET类型：N沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：150V

电源连续漏极（Id）（25℃时）：104A(TC)

驱动电压（最大Rds On，最小Rds，On）：10V

不同Id时的Vgs On（th）（最大值）：5V @250μA

不同Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）：120nC @10V

Vgs （最大值）：+-20V

不同Vgs时的输入电容（Ciss）（最大值）：5270pF@50V

功率耗散（最大值）：380W（Tc）

不同Id,Vgs时的Rds On（最大值）：11 毫欧 @ 62A，10V

工作温度：-50℃ ~ 175°C（TJ）

全新原装正品现货

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