IRFP250NPBF - 深圳市柏利欣科技有限公司

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详细信息

相关参数：

IC描述：MOSFET N-CH 200V 30A TO-247AC

FET类型：N沟通

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：200V

电流-连续漏极（Id）（25℃时）：30A（Tc）

驱动电压（最大Rds On,最小Rds,On）：10V

不同Id时的 Vgs（th）（最大值）：4V @ 250μA

不同Vgs时的栅极电荷（Qg）（最大值）：123nC @ 10V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：2159pF @ 25V

Vgs（最大值）：±20V

功率耗散（最大值）：214W（Tc）

不同Id，Vgs时的Rds On（最大值）：75 毫欧 @ 18A，10V

工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）

全新原装正品

深圳柏利欣科技有限公司

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