IRF3717TRPBF - 深圳市柏利欣科技有限公司

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详细信息

相关参数：

IC描述：MOSFET N-CH 20V 20A 8-SOIC

FET类型：N沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：20V

电流-连续漏极（Id）（25℃时）：20A（Ta）

驱动电压（最大Rds On，最小Rds On）：4.5V，10V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）：2.45V @ 250μA

栅极电荷（Qg）（最大值）：33nC

不同Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）：4.5V

Vgs（最大值）：±20V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：2890pF

功率耗散：2.5W（Ta）

不同Id ，Vgs时的Rds On（最大值）：4.4 毫欧 @ 20A，10V

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ

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