FDMC8010 - 深圳市柏利欣科技有限公司

起订量价格 5+ ￥4.50 100+ ￥4.00 1000+ ￥3.80

详细信息

相关参数：

IC描述：MOSFET N-CH 30V 8-PQFN

FET类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:30A（Ta），75A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）:1.3 毫欧 @ 30A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）:94nC @ 10V

Vgs（最大值）:±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:5860pF @ 15V

功率-耗散（最大值）：2.4W（Ta），54W（Tc）

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

深圳市柏利欣科技有限公司

更多优势库存料号可咨询客服QQ1582590512

1：由于型号种类繁多，价格时有更新，请顾客一定要与我们沟通咨询后才可下单。

2：买家咨询的时候请务必说清楚（完整型号、封装、数量），以便我们及时报价。
3：买家无提前咨询而下单的，如果由于缺货或者涨价而导致无法发货的，我司不承担任何责任，一律作退款处理。
4：生产型企业可申请月结和货到付款。
5：千元以上免运费(特殊商品除外)。

6：报价不含任何销售税，计算含税价请*1.13。 

产品类别