PMPB15XP - 深圳市柏利欣科技有限公司

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详细信息

相关参数：

IC描述：MOSFET P-CH 12V 8.2A 6DFN

FET类型：P 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 12V

电流-连续漏极（Id）（25℃时）：8.2A（Ta）

驱动电压（最大Rds On,最小Rds On）：1.8V，4.5V

不同ld时的Rds On（最大值）：19 毫欧 @ 8.2A，4.5V

不同ld时的Vgs（th）（最大值）：900mV @ 250μA

不同Vgs时的栅极电荷（Qg）（最大值）：100nC @ 4.5V

Vgs（最大值）：±12V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：2875pF @ 6V

功率耗散（最大值）：1.7W（Ta），12.5W（Tc）

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

全新原装正品现货

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