IRF840PBF - 深圳市柏利欣科技有限公司

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详细信息

IC描述：MOSFET N-CH 500V 8A TO-220AB

FET类型：N沟道

技术：MOSFET （金属化氧物）
漏源电压（Vdss):500V

电流-连续漏极（ld）（25℃时）：8A（Tc）

驱动电压（最大Rds On ，最小Rds On）：10V

不同Id时的Vgs On （th）最大值：4V @ 250μA

不同Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）：63nC @ 10V

Vgs （最大值）：+-20

不同Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：1300pF@25V

功率耗散（最大值）：125W（Tc）

不同Id Vgs时的Rds On（最大值）：850毫欧@4.8A，10V

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

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