IRLML6401TRPBF - 深圳市柏利欣科技有限公司

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详细信息

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：12V

电流-连续漏极（ld）（25℃时）：4.3A（Ta）

驱动电压（最大Rds On，最小Rds,On）：1.8V，4.5V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）：950mV @ 250μA

不同Vgs时的栅极电荷（Qg）（最大值）：15nC @ 5V

Vgs（最大值）：±8V

不同Vds时的输入电容Ciss（最大值）：830pF @ 10V

功率耗散（最大值）：1.3W（Ta）

不同Id，Vgs时的Rds On（最大值）：50 毫欧 @ 4.3A，4.5V

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

全新原装正品现货

深圳市柏利欣科技有限公司

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