SI4835DDY-T1-E3 - 深圳市柏利欣科技有限公司

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详细信息

相关参数：

IC描述：MOSFET P-CH 30V 13A 8-SOIC

FET类型：P泡道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：30V

电流-连续漏极（ld）（25℃时）：13A（Tc）

驱动电压（最大Rds On,最小Rds On）：4.5V，10V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）：3V @ 250μA

不同Vgs时的栅极电荷（Qg）（最大值）：65nC

电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大值）@Vgs：10V

Vgs（最大值）：±25V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：1960pF

电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大值）@Vds：15V

功率耗散（最大值）：2.5W（Ta），5.6W（Tc）

不同ld,Vgs时的Rds On（最大值）：18 毫欧 @ 10A，10V

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

全新原装正品现货

深圳市柏利欣科技有限公司

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