FDV301N - 深圳市柏利欣科技有限公司

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详细信息

相关参数:

IC描述:MOSFET N-CH 25V 220MA SOT-23

FET类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 25V

电流-连续漏极（ld）（25℃时）：220mA（Ta）

驱动电压（最大Rds On,最小Rds On）：2.7V,4.5V

不同ld时的最大Vgs(th)最大值：106V@250μA

不同Vgs时的栅极电荷（Qg）（最大值）:7nC

电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs:4.5V

Vgs（最大值）：±8V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：9.5pF

电压，耦合至输入电容（Ciss）(最大）@Vds：10V

功率耗散（最大值）：350mW（Ta）

不同ld,Vgs时的Rds On（最大值）：4 欧姆 @ 400mA，4.5V

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

全新原装正品现货

深圳市柏利欣科技有限公司

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