SPP20N60C3 - 深圳市柏利欣科技有限公司

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详细信息

相关参数：

IC描述：MOSFET N-CH 600V 20.7A TO-220

FET类型：N沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：600V

电流-连续漏极（Id）（25℃时）：20.7A（Tc）

驱动电压（最大Rds On，最小Rds On）：10V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）：3.9V @ 1mA

不同Vgs时的栅极电荷（Qg）（最大值）：114nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：2400pF @ 25V

功率耗散（最大值）：208W（Tc）

不同Id,Vgs时的Rds On（最大值）：90 毫欧 @ 13.1A，10V

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

全新原装正品现货

深圳市柏利欣科技有限公司

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