相关参数:
IC描述:IC DRIVER HIGH/LOW SIDE 8SOIC
驱动配置:半桥
通道类型:独立式
通道数:2
栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET
电压-电源:10 V ~ 20 V
逻辑电压-VIL,VIH:0.8V,3V
电流-峰值输出(灌入,拉出):210mA,360mA
输入类型:非反相
高压侧电压-最大值(自举):600V
上升/下降时间(典型值):100ns,50ns
工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
全新原装正品
深圳市柏利欣科技有限公司
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