IRF540NPBF - 深圳市柏利欣科技有限公司

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详细信息

相关参数：

IC描述：MOSFET N-CH 100V 33A TO-220AB

FET类型：N沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：100V

电流-连续漏极（Id）（25℃时）：33A（Tc）

驱动电压（最大Rds On,最小Rds On）：10V

不同Id 时的Vgs（th）（最大值）：4V @ 250μA

不同Vgs时的栅极电荷（Qg）（最大值）：71nC @ 10V71nC @ 10V

不同Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：1960pF @ 25V

Vgs （最大值）：±20V

功率耗散（最大值）：130W（Tc）

不同Id Vgs时的Rds On（最大值）：44 毫欧 @ 16A，10V

工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）

全新原装正品

深圳市柏利欣科技有限公司

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