2N7002 - 深圳市柏利欣科技有限公司

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详细信息

IC描述：MOSFET N-CH 60V 0.115A SOT-23

FET类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：60V

电流-连续漏极（Id）（25℃时）：115mA（Tc）

驱动电压（最大Rds On，最小Rds On）：5V，10V

不同Id 时的Vgs（th）（最大值）：2.5V @ 250μA

不同Vgs时的输入电容（Ciss）（最大值）：50pF @ 25V

Vgs最大值：±20V

功率耗散（最大值）：225mW（Ta）

不同Id， Vgs时的Rds On（最大值）：7.5 欧姆 @ 500mA，10V

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

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